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摘要
碳化硅结势垒肖特基二极管(SiC JBS)是新一代航天器电推进系统的关键部件，但高能粒子辐射严重威胁其可靠性与稳定性。为揭示其辐射损伤机理，为其抗辐射加固设计与考核评估储备数据，本研究基于加速器开展了先进商用SiC JBS 10～20 MeV中能质子地面辐照实验，并提取器件辐照前后的正向伏安特性、反向伏安特性、电容电压等电学参数及缺陷特性。系统分析器件关键特性随辐照条件的改变规律。结果显示，质子辐照引起了器件肖特基势垒升高、载流子浓度降低，且10 MeV较低能质子导致的位移损伤退化更严重。分析认为，PN结界面缺陷导致高性能商用SiC JBS反向电学性能对中能质子的辐照更加敏感，正向特性相对稳定，辐照生碳缺陷造成载流子去除效应是引起SiC JBS性能退化的主要机制。
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