SiO2/SiC界面工艺技术研究现状及新进展

作者：刘佳霖; 刘英坤

来源：半导体技术, 2022, 47(05): 346-353.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2022.05.002

• SiC
• 界面态密度
• 沟道电子迁移率
• 晶面选择
• 氧化层制备工艺
• 氧化后退火(POA)

从SiO2/SiC界面工艺技术角度着重介绍了其降低界面态密度、提升沟道电子迁移率及改善SiC MOSFET性能稳定性的机理，分析了国内外研究中有关SiC材料、SiC晶面、氧化层制备工艺和氧化后退火(POA)条件对SiO2/SiC界面的影响，总结了近年来提升SiO2/SiC界面性能的研究进展。最后分析了多种降低界面态密度的工艺方法及其优缺点，指出了未来通过结合这些工艺方法进一步改善界面质量的发展方向。

• 单位
  中国电子科技集团公司第十三研究所