从SiO2/SiC界面工艺技术角度着重介绍了其降低界面态密度、提升沟道电子迁移率及改善SiC MOSFET性能稳定性的机理,分析了国内外研究中有关SiC材料、SiC晶面、氧化层制备工艺和氧化后退火(POA)条件对SiO2/SiC界面的影响,总结了近年来提升SiO2/SiC界面性能的研究进展。最后分析了多种降低界面态密度的工艺方法及其优缺点,指出了未来通过结合这些工艺方法进一步改善界面质量的发展方向。