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摘要
本发明涉及一种异质P型终端氧化镓功率二极管及其制备方法,该氧化镓功率二极管,包括阴极、衬底层、漂移层、介质层和阳极,其中,阴极、衬底层和漂移层自下而上依次层叠设置；漂移层上刻蚀形成若干柱状结构,相邻柱状结构之间形成凹槽；介质层设置在凹槽的底部和内壁,介质层与漂移层形成异质PN结结构；阳极设置在介质层以及柱状结构上。本发明的异质P型终端氧化镓功率二极管,通过在漂移层上刻蚀形成若干柱状结构,同时相邻所述柱状结构之间形成凹槽,在凹槽的底部和内壁设置P型NiO介质层,将P型NiO介质层于凹槽结构结合,实现了P型NiO从侧面调制氧化镓沟道电场分布,降低器件反向泄漏电流的同时提升了器件的击穿电压。
- 单位
