Ce元素固溶掺杂对LaB6阴极材料电子逸出功的影响

作者：余艺平; 王松; 李伟

来源：稀有金属材料与工程, 2021, 50(06): 2201-2207.

• 六硼化镧
• 固溶掺杂
• 电子逸出功

采用稀土金属Ce元素固溶掺杂改性LaB6以降低其电子逸出功的策略,先通过熔盐法制备出La1-x Cex B6(x=0.2,0.4,0.6,0.8)固溶体纳米粉体,后经热压烧结得到La1-x Cex B6阴极材料。利用XRD、SEM等技术表征La1-x Cex B6阴极材料的组成结构,并研究了Ce元素固溶掺杂对LaB6阴极材料电子逸出功的影响。结果表明,所制备的La1-x Cex B6阴极材料为单相固溶体,致密度高,相对密度介于98.49%～98.98%之间。相对于未掺杂LaB6阴极材料,La1-x Cex B6阴极材料的电子逸出功更低,且随着Ce掺杂含量的增加电子逸出功先减小后增大,整体介于1.85～2.54 eV之间,其中La0.6Ce0.4B6阴极材料的电子逸出功最低,仅为1.85 eV。固溶掺杂Ce是降低LaB6阴极材料电子逸出功的有效途径。

• 单位
  国防科技大学