台面型InP/InGaAs PIN光伏探测器的p-InP低阻欧姆接触

作者：魏鹏; 朱耀明; 邓洪海; 唐恒敬; 李雪; 张永刚; 龚海梅

来源：红外与激光工程, 2011, 40(12): 2309-2313.

• 传输线模型(TLM)
• p-InP
• 欧姆接触
• 比接触电阻
• AES

研究了电子束蒸发淀积的非合金膜系Au/Pt/Ti/p-InP(2×1018cm-3)接触的物理特性,通过450℃、4 min的快速退火,获得了欧姆接触,其比接触电阻为7.3×10-5Wcm2。接触电极退火后,采用离子溅射法淀积加厚电极Cr/Au。利用俄歇电子能谱(AES)进行深度剖面分析,表明Pt层能够相对有效地阻挡Au和InP的互扩散,但仍会有少部分的Au穿透Pt层进入InP层;金属与p-InP低阻欧姆接触的形成由界面处金属和InP的化学及其冶金学反应决定,并且少量的In-Au化合物的形成可能有益于接触特性的改善。结果表明,采用合适的退火条件可以制备出低阻、表面光滑、可靠性高的欧姆接触。

• 单位
  中国科学院; 中国科学院上海技术物理研究所; 中国科学院研究生院; 传感技术国家重点实验室; 信息功能材料国家重点实验室; 中国科学院上海微系统与信息技术研究所