一种改进的SRAM随机故障注入技术

作者：蔡志匡; 王荧; 周正; 仲伟宏; 王子轩

来源：南京邮电大学学报(自然科学版), 2020, 40(04): 31-36.

DOI：10.14132/j.cnki.1673-5439.2020.04.005

• SRAM
• 随机故障注入
• 阻抗性开路故障
• 故障覆盖率

针对传统静态随机存储器缺乏有效的故障注入这一技术问题,文中提出了一种基于阻抗性开路故障的随机故障注入技术。该技术针对阻抗性开路故障的故障机理特点以及其故障表现形式,使用Perl语言提取故障节点,在电路中随机选取多个节点并注入阻值随机电阻,使存储单元电路随机产生阻抗性开路故障。文中首先通过HSIM仿真验证了随机故障注入技术的随机性以及有效性,并基于该方法通过HSIM+VCS混合仿真平台得到March C算法对阻抗性开路缺陷的故障覆盖率为87.8%。

• 单位
  南京邮电大学; 通富微电子股份有限公司