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摘要
纳米硅材料的制备过程中，设备内需要通入保护气氛，导致监控系统拍摄到的SEM图中经常包含气流影像。由于目前还没有学者用软件方法对该类图片进行去伪处理，所以对于硅岛生长的数量、形状等都是靠人工观察，该方式存在个体差异且时效性差。针对该问题，提出一种基于形态学的去伪算法，滤除气流影像，智能量化硅岛数量。详细分析形态学算法中不同参数下气流影像的去除程度以及硅岛的数量和形态的保留完好程度，论证最优参数的存在性。经验证，该算法耗时短，能够有效去除伪图，能基本保留硅岛形貌，量化结果最小偏差率为0。
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