Bi4Ti3O12取向陶瓷的铁电和介电性能

作者：毛翔宇; 陈小兵

来源：硅酸盐学报, 2004, 32(11): 1330-1334.

DOI：10.3321/j.issn:0454-5648.2004.11.003

• 钛酸铋
• 择优取向
• 剩余极化
• 介电损耗

用固相烧结工艺,制备了择优取向的Bi4Ti3O12(BTO)多晶陶瓷样品,沿着与样品轴线垂直和平行的方向切割制成测量样品A和样品B.样品A和样品B分别具有c择优取向和a/(b)择优取向,样品A的c取向率为87.4%.在测量电场强度为125 kV/cm时,样品A和样品B的剩余极化(2Pr)分别为5.8 μC/cm2和41.2μC/cm2.样品A的漏电流和介电损耗小于样品B,样品A介电耗损峰对应的温度高于样品B,在测量频率为1 MHz时,分别为663℃和658℃.

• 单位
  扬州大学