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摘要
本发明公开了一种多晶复合超晶格结构薄膜的制备方法,包括以下步骤：将两种以上靶材分别安装在溅射靶位上,将清洗后的基底安装在溅射腔室的旋转底座上；对超高真空磁控溅射系统的溅射腔抽真空后,通入工作气体；工作气压稳定后,对每个靶材电源进行预溅射,清除靶材表面污染层；进行半共溅射：控制不同靶材功率和基底转速,使得基底在旋转过程中依次通过不同的靶材的上方,并且任意时间段内,最多有一种靶材原子到达基底表面,在基底表面得到多晶复合超晶格结构层；在多晶复合超晶格结构层的表面沉积保护层。本发明的制备方法生长速率快,成膜工艺简单,可重复性好,精细结构可控,可实现10层原子层厚度以下级别的超晶格结构。
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