摘要
提出了一种集成于射频芯片的低噪声、快速建立的低压差线性稳压器(LDO)。分析了传统LDO的主要噪声源,在综合考虑芯片的噪声、静态电流和面积后,采用超低频低通滤波器,对LDO的输出噪声进行优化。基于SMIC 0.18μm工艺,采用Cadence软件对电路进行仿真。结果表明,10 Hz到100 k Hz之间的输出积分噪声电压为17μV,建立时间小于18μs,总静态电流为24μA,满足LDO的应用要求。
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单位电子科技大学; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室