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摘要
利用光致发光光谱研究了200 keV电子辐照β-Ga2O3光学色心的功率依赖性。经过对比辐照前后样品，发现光谱中684 nm、690 nm和697 nm零声子线强度发生了明显的变化，而且在715 nm红光区域处出现了一个宽带。通过线扫描光致发光光谱图发现在辐照区域中心处发光强度最强，在边缘区域强度逐渐减弱。为了进一步了解光学色心的性质，并且进一步了解β-Ga2O3样品缺陷的性质。对β-Ga2O3样品进行了激光功率依赖性的研究，研究发现β-Ga2O3光学色心主要受到辐射复合和俄歇复合协同作用的影响，且684 nm零声子线受俄歇复合影响最大。
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