一种退火掺杂实现常关型HEMT器件的方法

作者:李国强; 万利军; 孙佩椰; 阙显沣; 姚书南
来源:2019-12-06, 中国, CN201911238442.9.

摘要

本发明公开了一种退火掺杂实现常关型HEMT器件的方法。该方法为:在真空气氛下,采用激光扫描镁栅条,通过激光实现镁栅条在AlGaN材料中的热掺杂,实现常关型HEMT器件性能;本发明所实现的掺杂时间短,掺杂浓度及深度间接可控,而且对沟道二维电子气的影响小。本发明是一种快速的掺杂来实现常关型HEMT器件的方法,对于实现高性能的常关型HEMT器件有重要意义。