本发明公开了一种退火掺杂实现常关型HEMT器件的方法。该方法为:在真空气氛下,采用激光扫描镁栅条,通过激光实现镁栅条在AlGaN材料中的热掺杂,实现常关型HEMT器件性能;本发明所实现的掺杂时间短,掺杂浓度及深度间接可控,而且对沟道二维电子气的影响小。本发明是一种快速的掺杂来实现常关型HEMT器件的方法,对于实现高性能的常关型HEMT器件有重要意义。