Ni~(2+)对KDP晶体生长及缺陷影响的研究

作者:柴向旭; 王波; 王圣来; 孙洵; 顾庆天; 丁建旭; 李毅平; 许心光
来源:人工晶体学报, 2012, 41(05): 1153-1157.
DOI:10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2012.05.001

摘要

采用传统降温方法生长了不同Ni2+掺杂浓度的KDP晶体。实验发现当Ni2+掺杂浓度小于1000 ppm时溶液的稳定性随着掺杂浓度的增加而提高,大于1000 ppm时溶液的稳定性开始下降,但仍高于纯态溶液的稳定性;随着Ni2+浓度的增加KDP晶体柱面的生长死区增加,柱面的生长速度略有下降,但在生长过程中没有观察到晶体的楔化;KDP晶体的XRD分析及缺陷的研究表明Ni2+对晶体的结构影响不明显,但晶体中的缺陷和内应力增加。

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