本文回顾了当前国内外高工作温度碲镉汞红外探测器的技术路线和相应的器件性能，在碲镉汞器件暗电流的温度特性分析的基础上，讨论了基于非平衡工作模式的碲镉汞探测器的基本原理、器件结构设计和暗电流机制，探讨了吸收层全耗尽碲镉汞器件性能与器件结构参数、材料晶体质量的关系，明确了其技术要点和难点，展望了碲镉汞高工作温度器件技术的发展趋势。
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