KOH溶液处理对AlGaN紫外探测器暗电流的影响

作者：王玲; 陈杰; 许金通; 张燕; 李向阳

来源：光电子-激光, 2009, (10): 1323-1326.

DOI：10.16136/j.joel.2009.10.007

• KOH溶液表面处理
• 界面态
• 接触电阻
• 反偏暗电流 KOH solution process
• interface states
• contact resistivity
• dark current characteristics

采用KOH溶液表面处理工艺制备得到了128×1线列日盲AlGaN紫外探测器,器件的反偏暗电流为6.88×10-9A(-8 V时),比未采用此项工艺制备得到的器件的暗电流减小近103倍。元素深度分布俄歇电子谱(AES)等测试结果分析表明,采用这种表面处理工艺可以有效地去除干法刻蚀后材料表面的N空位、刻蚀生成物及自然氧化物,减小了界面态密度,改善了电流-电压特性,减小了反偏暗电流。利用传输线模型TLM计算得到了Ti/Al/Ti/Au金属电极与高Al组分n-Al0.65Ga0.35N材料间的接触电阻率为8.35×10-3Ωcm2。

• 单位
  中国科学院上海技术物理研究所; 传感技术国家重点实验室