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摘要
本发明属于光电材料与应用技术领域,具体涉及一种聚噻吩衍生物光电材料及其制备方法与应用。该材料通过减少聚噻吩衍生物烷基侧链的密度,并引入吸电子基团来降低聚合物的HOMO能级,通过改变不同的反应物配比来实现对聚合物能级、溶解性、聚集性和结晶性的调控。与P3HT相比,该材料的结晶性增加,吸收光谱出现了一定程度的红移。其结构简单,具有不同的重复单元,易于合成,适合大面积生产。此外,该聚噻吩衍生物具有较高的吸收系数(105cm-1),对太阳光的吸收能力增强,可满足高效率器件的需求,可用于有机太阳能电池、钙钛矿太阳能电池和有机薄膜晶体管等光电材料领域。
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