复合量子点MOSFET结构存储器的电路模拟

作者：闾锦; 施毅; 濮林; 杨红官; 杨铮; 郑有炓

来源：电子学报, 2004, (11): 1793-1795.

• 复合量子点
• 单电子存储器
• 电路模拟

本文采用准经典近似的MonteCarlo方法对复合量子点MOSFET结构存储器的等效单电子电路进行了模拟 .研究结果表明 ,由于台阶状的复合隧穿势垒的作用 ,存储器的存储时间特性可得到极大提高 .我们进一步研究了N沟道锗 /硅复合量子点MOSFET结构存储器的时间特性 ,得到其存储时间可长达数年 ,同时写擦时间可分别为 μs和ns量级 ,从而这种新型的器件结构可以有效解决快速编程和长久存储间的矛盾

• 单位
  固体微结构物理国家重点实验室; 南京大学