用射频磁控溅射法在c-BN晶体基底上生长c-BN薄膜

作者：杨大鹏; 赵永年; 李英爱; 苏作鹏; 杜勇慧; 吉晓瑞; 杨旭昕; 宫希亮; 张铁臣

来源：人工晶体学报, 2006, (05): 953-957.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2006.05.011

• 高结晶度
• 生长速率
• 生长模式 high crystallization
• growth rate
• growth model

本文用射频磁控溅射方法在片状c-BN晶体基底上生长了c-BN薄膜,显微拉曼光谱(μ-RS)和扫描电子显微镜(SEM)测试结果表明:沉积的薄膜是大约10μm厚、高结晶性、电子透明的高纯c-BN薄膜。岛状和层状生长模式在试验中清晰的展示出来。同时在生长的c-BN薄膜内部和被遮盖的基底部分上发现了籽晶。

• 单位
  吉林大学; 超硬材料国家重点实验室