氧化锌薄膜体声波谐振器制作重复性和均匀性

作者：陈熙; 段力^*; 翁昊天; 付学成; 杨志^*; 张亚非; 刘千慧; 陈益钢; 高明; 张虎

来源：微纳电子技术, 2019, 56(12): 984-991.

DOI：10.13250/j.cnki.wndz.2019.12.007

• 薄膜体声波谐振器(FBAR)
• 氧化锌(ZnO)
• 谐振频率
• 射频磁控溅射
• 集成电路

通过磁控溅射靶材的成分调控和一系列优化过的微电子机械系统(MEMS)工艺,成功研制了基于氧化锌(ZnO)压电薄膜的固体装配型薄膜体声波谐振器(FBAR)。通过使用性能优异的靶材,所得到的器件谐振性能良好。在同一种工艺条件下得到多个硅片的中心处FBAR的谐振频率为2.365～2.379 GHz,具有较好的重复性。并且,同一硅片不同位置的器件性能还具有优异的均匀性,S11的平均相对误差很小。尤其谐振频率可以控制在2.359～2.410 GHz,相比之前的1.8～2.4 GHz,其均匀性有了明显的提升。同一硅片上9个FBAR谐振频率的平均相对误差能够低至0.256%。

• 单位
  北京航空航天大学; 上海大学; 上海交通大学