科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
Cr-O-C钝化层可以提高精密电铸脱模精度，但Cr-O-C钝化层对基底表面的钝化规律和对表层的影响尚未清楚。利用分子动力学方法，在多晶Cu表面沉积离散的Cr、O和C原子，获得不同比例和数量的Cr-O-C钝化层。计算结果表明，不同比例的Cr、O和C原子均可以大幅降低多晶Cu的表面能；随着原子数量的增加，多晶Cu的表面能呈下降趋势；Cr-O-C钝化层增加了多晶Cu表层的位错密度；新增加的位错以Shockley位错为主；在一定沉积原子数量内，位错密度有极值。在多晶Cu表面电沉积不同密度的Cr、O和C原子，通过接触角测试验证了Cr-O-C钝化层降低多晶Cu表面能的结论。电沉积脱模强度和脱模表面粗糙度结果显示，随着沉积原子数的增加，脱模强度和脱模表面粗糙度均降低。研究结果可为利用离散Cr-O-C界面辅助精密电铸脱模提供一种解释。
- 单位
