对国内外碳化硅(Silicon Carbide, SiC)单晶衬底技术、外延片技术、功率器件性能特点进行了归纳分析,指出SiC功率器件产品在应用中面临的问题:SiC功率器件驱动技术和保护技术尚不成熟、电磁兼容问题未完全解决和应用的电路拓扑不够优化等.针对这些问题应从以下几个方面着手发展:降低单晶衬底和外延片材料成本、降低SiC器件在高温下的损耗和开发新的适合SiC功率器件的封装技术.
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